Mos ICs And Technology

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Copre in dettaglio 114 argomenti di MOS IC e tecnologia. Questi 114 argomenti sono suddivisi in 8 unità
Alcuni degli argomenti trattati in questa applicazione sono:

1. La legge di Moore.
2. Confronto delle tecnologie disponibili
3. Transistori MOS di base
4. Modalità potenziamento Azione transistor:
5. Fabbricazione NMOS:
6. Fabbricazione CMOS - PROCESSO P-WELL
7. PROCESSO di fabbricazione CMOS-N-WELL:
8. Processo di fabbricazione CMOS-Twin-tub
9. Tecnologia Bi-CMOS: - (CMOS bipolare):
10. Produzione di maschere e-beam
11. Introduzione al transistor MOS
12. Rapporto tra Vgs e Ids, per un Vds fisso
13. Equazioni MOS (equazioni DC di base):
14. Effetti del secondo ordine
15. CARATTERISTICHE DELL'INVETER CMOS
16. Caratteristiche CC dell'inverter
17. Derivazione grafica delle caratteristiche CC dell'inverter
18. Margine di rumore
19. Inverter MOS a carico statico
20. Cancelli di trasmissione
21. Inverter tristato
22. Diagrammi stick: codifiche per il processo NMOS
23. Codifiche per processo CMOS
24. Codifica per BJT e MOSFET
25. Stile di design NMOS e CMOS
26. Regole di progettazione - MOS IC e tecnologia
27. Via
28. Regole di progettazione basate su CMOS lambda
29. Processo CMOS Orbit 2um
30. Stima della resistenza.
31. Resistenza del foglio dei transistor mos
32. Stima della capacità
33. Ritardo
34. Ritardi inverter
35. Stima formale del ritardo
36. Guidare un grande carico capacitivo
37. Valore ottimale di f
38. Super buffer
39. Autisti Bicmos
40. Ritardo di propagazione
41. Altre fonti di capacità
42. Scelta dei livelli
43. Ridimensionamento dei dispositivi mos
44. Progettazione fisica di base una panoramica
45. Progettazione fisica di base una panoramica
46. ​​Schema e layout dei cancelli base-Inverter Gate
47. Schema e layout dei varchi di base-NAND e NOR Gate
48. Cancello di trasmissione
49. Progettazione di celle standard CMOS
50. Ottimizzazione del layout per le prestazioni
51. Linee guida generali di layout
52. Logica BICMOS
53. Pseudo nmos logica
54. Altre variazioni di pseudo nmos: logica multi-drenaggio e logica Ganged
55. Altre variazioni della logica pseudo nmos- Dynamic cmos
56. Altre variazioni di pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Logica del domino CMOS
58. Logica di commutazione della tensione in cascata
59. Passa la logica del transistor
60. Strutture circuitali logiche in tecnologia CMOS
61. Ridimensionamento dei circuiti MOS
62. Ridimensionamento tecnologico
63. Roadmap tecnologica internazionale per i semiconduttori (ITRS)
64. Modelli di ridimensionamento e fattori di ridimensionamento per i parametri del dispositivo
65. Implicazioni del ridimensionamento
66. Problemi di interconnessione
67. Raggio raggiungibile
68. Potenza dinamica e statica
69. Produttività e limiti fisici
70. Limitazioni del ridimensionamento
71. Doping del substrato
72. Larghezza di svuotamento
73. Limiti della miniaturizzazione
74. Limiti di interconnessione e resistenza di contatto
75. Limiti dovuti a correnti sottosoglia
76. Limiti dovuti a correnti sottosoglia
77. Sistema
78. Flusso di progettazione VLSI
79. 3 Approccio alla progettazione strutturata
80. Regolarità
81. MOSFET come interruttore
82. Collegamento in parallelo e in serie di interruttori
83. INVERTER CMOS
84. Progetto del cancello NAND
85. Progetto cancello NOR
86. Proprietà CMOS
87. Cancelli complessi
88. Cancelli complessi AOI

Tutti gli argomenti non sono elencati a causa di limitazioni di carattere.

Ogni argomento è completo di diagrammi, equazioni e altre forme di rappresentazioni grafiche per un migliore apprendimento e una rapida comprensione.

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